Описание
Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC
Увеличьте производительность вашего ноутбука с модулем памяти Samsung! Этот модуль — идеальное решение для тех, кто хочет ускорить работу своего устройства и справиться с многозадачностью.
* объём: 8 ГБ;
* тип: DDR5;
* частота: 5600 МГц;
* форм-фактор: SO DIMM;
* для ноутбуков (Laptop);
* без коррекции ошибок (Non-ECC);
* CAS-латентность (CL): 46;
* напряжение: 1.1 В;
* конфигурация: 1Rx16;
* упаковка: Bulk.
С модулем памяти Samsung ваш ноутбук будет работать быстрее и эффективнее. Вы сможете одновременно запускать несколько приложений, работать с большими объёмами данных и наслаждаться плавным функционированием системы. Надёжность и качество Samsung — гарантия стабильной работы вашего устройства.
Характеристики товара
СостояниеНовое |
Основное
Форм-факторSODIMM |
ТипМодуль памяти |
Тип памятиUnbuffered |
МодельM425R1GB4PB0-CWM |
МодельM425R1GB4PB0-CWM |
Назначениедля ноутбуков |
АртикулM425R1GB4PB0-CWM |
БрендSamsung |
Гарантия12 мес. |
Вид поставкиOEM |
Оперативная память
Поддержка ECCНет |
Количество ранков1 |
RAS to CAS Delay (tRCD)46 |
Row Precharge Delay (tRP)46 |
CAS Latency (CL)46 |
Экран и дисплей
ПодсветкаНет |
Питание и энергия
Напряжение питания, В1.1 В |
Охлаждение
Наличие радиатораНет |
Клавиатура и мышь
Игровая (для геймеров)Нет |
Комплектация и аксессуары
Комплект поставкиМодуль памяти |
Прочее
Стандарт памятиDDR5 |
Количество контактов262 |
Количество модулей в комплекте, шт1 шт |
Пропускная способность, Мб/с44800 |
Суммарный объем, ГБ8 ГБ |
Эффективная частота, МГц5600 МГц |
Количество чипов на модуле, шт4 шт |
НизкопрофильнаяНет |
Объем одного модуля, ГБ8 ГБ |
Штрихкод2000012181603 |
Информация
Опубликовано4 дн назад |
Просмотры0 |
В избранном0 |
Советы безопасности
· Проверяйте товар перед покупкой
· Встречайтесь в людных местах
· Не переводите деньги заранее

