DDR5Новое
Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL46, 1.1V, 1Rx16, Bulk
April 18, 2026 0 0Состояние
Новое
Опубликовано
April 18, 2026
Просмотры
0
Описание
Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC
Увеличьте производительность вашего ноутбука с модулем памяти Samsung! Этот модуль — идеальное решение для тех, кто хочет ускорить работу своего устройства и справиться с многозадачностью.
* объём: 8 ГБ;
* тип: DDR5;
* частота: 5600 МГц;
* форм-фактор: SO DIMM;
* для ноутбуков (Laptop);
* без коррекции ошибок (Non-ECC);
* CAS-латентность (CL): 46;
* напряжение: 1.1 В;
* конфигурация: 1Rx16;
* упаковка: Bulk.
С модулем памяти Samsung ваш ноутбук будет работать быстрее и эффективнее. Вы сможете одновременно запускать несколько приложений, работать с большими объёмами данных и наслаждаться плавным функционированием системы. Надёжность и качество Samsung — гарантия стабильной работы вашего устройства.
Характеристики
Основное
Форм-факторSODIMM
ТипМодуль памяти
Тип памятиUnbuffered
МодельM425R1GB4PB0-CWM
МодельM425R1GB4PB0-CWM
Назначениедля ноутбуков
АртикулM425R1GB4PB0-CWM
БрендSamsung
Гарантия12 мес.
Вид поставкиOEM
Оперативная память
Поддержка ECCНет
Количество ранков1
RAS to CAS Delay (tRCD)46
Row Precharge Delay (tRP)46
CAS Latency (CL)46
Экран и дисплей
ПодсветкаНет
Питание и энергия
Напряжение питания, В1.1 В
Охлаждение
Наличие радиатораНет
Клавиатура и мышь
Игровая (для геймеров)Нет
Комплектация и аксессуары
Комплект поставкиМодуль памяти
Прочее
Стандарт памятиDDR5
Количество контактов262
Количество модулей в комплекте, шт1 шт
Пропускная способность, Мб/с44800
Суммарный объем, ГБ8 ГБ
Эффективная частота, МГц5600 МГц
Количество чипов на модуле, шт4 шт
НизкопрофильнаяНет
Объем одного модуля, ГБ8 ГБ
Штрихкод2000012181603
Безопасная сделкаПроверяйте товар перед покупкойВстречайтесь в людных местахНе переводите деньги заранее

